DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
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Technische Details DMN10H220LDV-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMN10H220LDV-7 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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DMN10H220LDV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMN10H220LDV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN10H220LDV-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN10H220LDV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K |
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