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Technische Details DMN10H220LDV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 40W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN10H220LDV-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.29 EUR
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DMN10H220LDV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) |
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DMN10H220LDV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN10H220LDV-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| DMN10H220LDV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K |
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