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DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated

DMN10H220LE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC
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Technische Details DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 14W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN10H220LE-13 DMN10H220LE-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
auf Bestellung 2 Stücke:
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DMN10H220LE-13 DMN10H220LE-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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DMN10H220LE-13
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Hersteller: DIODES INC.
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