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Technische Details DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN10H220LFDF-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMN10H220LFDF-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
auf Bestellung 2889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V |
auf Bestellung 69320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H220LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| 15000+ | 0.17 EUR |
| 21000+ | 0.15 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
auf Bestellung 69320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.92 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 1.05 EUR |
| 384+ | 0.61 EUR |
| 794+ | 0.27 EUR |
| 820+ | 0.26 EUR |
| DMN10H220LFDF-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 1.05 EUR |
| 384+ | 0.61 EUR |
| 794+ | 0.27 EUR |
| 820+ | 0.26 EUR |