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DMN10H220LFVW-7 Diodes Zetex


dmn10h220lfvw.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Technische Details DMN10H220LFVW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW-7 DIODES INC. 3168377.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 525 Stücke:
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360+0.64 EUR
410+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW-7 DIODES INC. 3168377.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated DMN10H220LFVW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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100+0.87 EUR
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2000+0.27 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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