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DMN10H220LK3-13

DMN10H220LK3-13 Diodes Zetex

dmn10h220lk3.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details DMN10H220LK3-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN10H220LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
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2500+0.23 EUR
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
167+0.43 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1364 Stücke:
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Anzahl Preis
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167+0.43 EUR
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358+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645261_1-2543337.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 10487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.70 EUR
10+0.59 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.22 EUR
25000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN10H220LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
auf Bestellung 23768 Stücke:
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16+1.16 EUR
25+0.71 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009645261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2412 Stücke:
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009645261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn10h220lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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DMN10H220LK3-13 Hersteller : Diodes Inc dmn10h220lk3.pdf High Enhancement Mode MOSFET
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