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Technische Details DMN10H220LVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMN10H220LVT-7 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMN10H220LVT-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H220LVT-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN10H220LVT-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.32 EUR |
| DMN10H220LVT-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 0.32 EUR |
| DMN10H220LVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
| DMN10H220LVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| DMN10H220LVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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