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Technische Details DMN10H220LVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN10H220LVT-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 6.6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.79A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN10H220LVT-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 6.6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.79A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V |
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