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DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated

DMN1250UFEL.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
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Technische Details DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-QFN1515, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Dreifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL.pdf Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL.pdf MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691792-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1902 Stücke:
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69+3.62 EUR
139+1.68 EUR
203+1.06 EUR
500+0.9 EUR
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691792-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
139+1.68 EUR
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DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
DMN1250UFEL-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
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Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
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MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
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DMN1250UFEL-7
Hersteller: DIODES INC.
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auf Bestellung 1902 Stücke:
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DMN1250UFEL-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1250UFEL-7 - Dual-MOSFET, Dreifach n-Kanal, 12 V, 12 V, 2 A, 2 A, 0.45 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-QFN1515
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
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Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1902 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.62 EUR
139+1.68 EUR
203+1.06 EUR
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