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DMN12M7UCA10-7

DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

DMN12M7UCA10.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
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Technische Details DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, 2190 µohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2190µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X4-DSN3015, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2190µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN12M7UCA10.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN12M7UCA10.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
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5000+0.49 EUR
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, 2190 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2190µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2190µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4890 Stücke:
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A, 2190 µohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2190µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2190µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN12M7UCA10-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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