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DMN12M7UCA10-7

DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

DMN12M7UCA10.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
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Technische Details DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA, Supplier Device Package: X4-DSN3015-10.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN12M7UCA10.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10
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DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691728_1-2543258.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
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100+0.82 EUR
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5000+0.54 EUR
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DMN12M7UCA10-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
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