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| 749+ | 0.23 EUR |
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Technische Details DMN13H750S-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 130V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN13H750S-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V |
auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss |
auf Bestellung 18425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V |
auf Bestellung 147502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMN13H750S-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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| DMN13H750S-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors |
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