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DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7 Diodes Zetex

2743dmn2004wkq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMN2004WKQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 27660000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
21000+0.12 EUR
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75000+0.1 EUR
150000+0.1 EUR
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DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 14937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
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DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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29+0.74 EUR
47+0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.99 EUR
414+0.56 EUR
654+0.33 EUR
901+0.24 EUR
1004+0.21 EUR
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DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 540mA
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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255+0.99 EUR
414+0.56 EUR
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DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ.pdf
DMN2004WKQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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21000+0.12 EUR
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DMN2004WKQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
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DMN2004WKQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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DMN2004WKQ-7 DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004WKQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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414+0.56 EUR
654+0.33 EUR
901+0.24 EUR
1004+0.21 EUR
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DMN2004WKQ-7 DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004WKQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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