Produkte > DIODES ZETEX > DMN2004WKQ-7
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7 Diodes Zetex

2743dmn2004wkq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27651000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN2004WKQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN2004WKQ-7 nach Preis ab 0.085 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27660000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.098 EUR
30000+0.094 EUR
75000+0.086 EUR
150000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 14937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2004WKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27661395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
47+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 Hersteller : Diodes Inc 2743dmn2004wkq.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : Diodes Zetex 2743dmn2004wkq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2004WKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH