DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Technische Details DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN2005LPK-7 nach Preis ab 0.093 EUR bis 0.76 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A Power dissipation: 0.45W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V 200mA |
auf Bestellung 1692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
auf Bestellung 49957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005LPK-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
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