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DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED

DMN2005LPK.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
596+0.14 EUR
725+0.12 EUR
820+0.1 EUR
910+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
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Technische Details DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN2005LPK-7 nach Preis ab 0.1 EUR bis 1.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated ds30836.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Diodes Zetex 39453282787644144ds30836.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
691+0.25 EUR
710+0.24 EUR
762+0.21 EUR
1318+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Diodes Zetex 39453282787644144ds30836.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.61 EUR
369+0.45 EUR
412+0.39 EUR
691+0.23 EUR
710+0.21 EUR
762+0.19 EUR
1318+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
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DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated ds30836.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 45849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
46+0.45 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000773101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000773101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated ds30836.pdf MOSFETs 20V 200mA
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
DMN2005LPK-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN2005LPK-7 39453282787644144ds30836.pdf
DMN2005LPK-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
412+0.43 EUR
691+0.25 EUR
710+0.24 EUR
762+0.21 EUR
1318+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 39453282787644144ds30836.pdf
DMN2005LPK-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
287+0.61 EUR
369+0.45 EUR
412+0.39 EUR
691+0.23 EUR
710+0.21 EUR
762+0.19 EUR
1318+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
DMN2005LPK-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 45849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
46+0.45 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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DMN2005LPK-7 DIOD-S-A0000773101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005LPK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005LPK-7 DIOD-S-A0000773101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005LPK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+0.89 EUR
451+0.51 EUR
981+0.21 EUR
1067+0.2 EUR
1128+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN2005LPK-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V 200mA
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH