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Technische Details DMN2005UPS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN2005UPS-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.37 EUR
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A |
auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2005UPS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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