DMN2009USS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 0.95 EUR |
| 22+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details DMN2009USS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMN2009USS-13 nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 6594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2009USS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMN2009USS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN2009USS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 6594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 2500+ | 0.33 EUR |
| DMN2009USS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| DMN2009USS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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