DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 1.12 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN2013UFDE-7 nach Preis ab 1.04 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN2013UFDE-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2013UFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2013UFDE-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.61 EUR |
| 186+ | 1.25 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| DMN2013UFDE-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| 157+ | 1.61 EUR |
| 186+ | 1.25 EUR |
| 194+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |