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DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated

DMN2013UFDE.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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Technische Details DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Hersteller : DIODES INC. 3199743.pdf Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Hersteller : DIODES INC. 3199743.pdf Description: DIODES INC. - DMN2013UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
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DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2013UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
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DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2013UFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
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DMN2013UFDE-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2013UFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 10A
Gate charge: 25.8nC
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
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