DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN2013UFDE-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.31W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 25.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 80A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 10A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN2013UFDE-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMN2013UFDE-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Mounting: SMD Power dissipation: 1.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 80A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMN2013UFDE-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN |
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DMN2013UFDE-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN |
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| DMN2013UFDE-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Mounting: SMD Power dissipation: 1.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 80A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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