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DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0009691746_1-2543287.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Technische Details DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Hersteller : DIODES INC. DMN2015UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
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DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF-7 Hersteller : DIODES INC. DMN2015UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN2015UFDF-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2015UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
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