DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 75000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN2020LSN-7 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
auf Bestellung 2318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET,N-CHANNEL |
auf Bestellung 19820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V |
auf Bestellung 90541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
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DMN2020LSN-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R |
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