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DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated


ds31946.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 90000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
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Technische Details DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote DMN2020LSN-7 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Diodes Zetex ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.54 EUR
524+0.33 EUR
546+0.31 EUR
570+0.29 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
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DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Diodes Zetex ds31946.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.76 EUR
293+0.58 EUR
327+0.5 EUR
524+0.3 EUR
546+0.27 EUR
570+0.25 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated ds31946.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
31+0.68 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated ds31946.pdf MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
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Lieferzeit 290-294 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+0.73 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 DIODES INC. DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+1.27 EUR
267+0.87 EUR
424+0.5 EUR
544+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 DIODES INC. DIODS13782-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
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10+0.73 EUR
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500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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