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DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated

DMN2023UCB4.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X1-WLB1818-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2023UCB4.pdf MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
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Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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DMN2023UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 196678251711637dmn2023ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
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DMN2023UCB4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2023UCB4.pdf DMN2023UCB4-7 SMD N channel transistors
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