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Technische Details DMN2025UFDB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN2025UFDB-7 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN2025UFDB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN2025UFDB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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| DMN2025UFDB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
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