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DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7 Diodes Zetex

1015dmn2026uvt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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Technische Details DMN2026UVT-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2026UVT-7 DMN2026UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2026UVT.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
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DMN2026UVT-7 DMN2026UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2026UVT.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
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DMN2026UVT-7 DMN2026UVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2026UVT.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
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DMN2026UVT-7 DMN2026UVT-7 Hersteller : Diodes Zetex 1015dmn2026uvt.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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DMN2026UVT-7 DMN2026UVT-7 Hersteller : Diodes Inc 1015dmn2026uvt.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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DMN2026UVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2026UVT.pdf DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors
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