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DMN2028USS-13

DMN2028USS-13 Diodes Zetex

565dmn2028uss.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN2028USS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
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10+0.4 EUR
100+0.38 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 23375 Stücke:
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30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.39 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
133+0.54 EUR
166+0.43 EUR
253+0.28 EUR
268+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F97EE4C1678748&compId=DMN2028USS.pdf?ci_sign=54153eb7536a9f55f8880d98ca7ffbc4948fb66c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000570642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 980 Stücke:
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DMN2028USS-13 DMN2028USS-13 Hersteller : Diodes Inc 565dmn2028uss.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN2028USS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2028USS.pdf MOSFET N-CH 20V 7.3A SOIC-8
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