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DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated

DMN2036UCB4.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
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Technische Details DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 1.45W, Case: X2-WLB1616-4, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 52mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12.6nC, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2036UCB4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 2707 Stücke:
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10+0.92 EUR
100+0.6 EUR
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DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated DMN2036UCB4.pdf Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
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12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
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500+0.46 EUR
1000+0.41 EUR
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Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
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