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DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated


DMN2036UCB4.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
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Technische Details DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Mounting: SMD, Case: X2-WLB1616-4, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 30A, Drain-source voltage: 24V, Drain current: 4A, On-state resistance: 52mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.45W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005039021_1-2542756.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2036UCB4.pdf Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Inc 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2036UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB1616-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2036UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X2-WLB1616-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
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