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Technische Details DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W, Mounting: SMD, Case: X2-WLB1616-4, Gate charge: 12.6nC, On-state resistance: 52mΩ, Power dissipation: 1.45W, Drain current: 4A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 24V, Pulsed drain current: 30A, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote DMN2036UCB4-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
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| DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
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| DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
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| DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R |
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DMN2036UCB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V Supplier Device Package: X2-WLB1616-4 |
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| DMN2036UCB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Mounting: SMD Case: X2-WLB1616-4 Gate charge: 12.6nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 1.45W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 24V Pulsed drain current: 30A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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