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DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated

DMN2036UCB4.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.28 EUR
15000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.45W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V, Supplier Device Package: X2-WLB1616-4.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2036UCB4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2036UCB4.pdf Description: MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Supplier Device Package: X2-WLB1616-4
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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DMN2036UCB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 105dmn2036ucb4.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 1.6A 4-Pin X2-WLB T/R
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