DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN2040LTS-13 nach Preis ab 0.20 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2040LTS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN |
auf Bestellung 6684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2040LTS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8 Case: TSSOP8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 0.89W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2016 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2040LTS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8 Case: TSSOP8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 0.89W Polarisation: unipolar Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 2016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2040LTS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2040LTS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DMN2040LTS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 890mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 890mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |