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DMN2040U-7

DMN2040U-7 Diodes Incorporated

DMN2040U.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details DMN2040U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2040U-7 DMN2040U-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567240_1-2542528.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 13304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.52 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
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DMN2040U-7 DMN2040U-7 Diodes Incorporated DMN2040U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
auf Bestellung 3063 Stücke:
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28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
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500+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMN2040U-7 DMN2040U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004567240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
415+0.56 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1069+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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DMN2040U-7 DMN2040U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004567240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
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Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T&R 3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 667 pF @ 10 V
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DMN2040U-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2810 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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