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Technische Details DMN2041LSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.63A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN2041LSD-13 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.63A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.63A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.92A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.16W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN2041LSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.92A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.16W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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