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DMN2058U-13

DMN2058U-13 Diodes Incorporated

DMN2058U.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
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Technische Details DMN2058U-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.13W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2058U-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn2058u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2058U-13 Hersteller : Diodes INC. DMN2058U.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN2058U-13 DMN2058U-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2058U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
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DMN2058U-13 DMN2058U-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011183505_1-2543669.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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