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DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated

ds31186.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
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Technische Details DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2100UDM-7 DMN2100UDM-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31186.pdf MOSFETs 900mW 20Vdss
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DMN2100UDM-7 DMN2100UDM-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31186.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
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DMN2100UDM-7 Hersteller : DIODES/ZETEX ds31186.pdf N-MOSFET 20V 3.3A 55mΩ 1W DMN2100UDM-7 Diodes TDMN2100udm
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DMN2100UDM-7 DMN2100UDM-7 Hersteller : Diodes Inc ds31186.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin SOT-26 T/R
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DMN2100UDM-7 DMN2100UDM-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C8FF76A99698BF&compId=DMN2100UDM.pdf?ci_sign=368d5582ce496e5058939302b77bde712485617a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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