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DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated

DMN21D2UFB.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.14 EUR
20000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
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Technische Details DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMN21D2UFB-7B nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B DIODES INC. DMN21D2UFB.pdf Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
547+0.43 EUR
1049+0.2 EUR
1178+0.18 EUR
1345+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B DIODES INC. DMN21D2UFB.pdf Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
547+0.43 EUR
1049+0.2 EUR
1178+0.18 EUR
1345+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10
auf Bestellung 23450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated DMN21D2UFB.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
auf Bestellung 69116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN21D2UFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.69 EUR
547+0.43 EUR
1049+0.2 EUR
1178+0.18 EUR
1345+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
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10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
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44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
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1000+0.2 EUR
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