DMN2230U-7

DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Technische Details DMN2230U-7 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V.

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DMN2230U-7 DMN2230U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9090ED1CDD8BF&compId=DMN2230U.pdf?ci_sign=925c8ebe97ee64d169ed4cefa8663301a8dcaecc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
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DMN2230U-7 DMN2230U-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31180-86911.pdf MOSFET 600mW 20Vdss
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DMN2230U-7 Hersteller : DIODES/ZETEX ds31180.pdf N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230U-7 Diodes TDMN2230u
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DMN2230U-7 DMN2230U-7 Hersteller : Diodes Inc ds31180.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2230U-7 DMN2230U-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31180.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
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