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DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

DMN2230UQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 723000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMN2230UQ-7 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
172+0.42 EUR
232+0.31 EUR
261+0.27 EUR
314+0.23 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C9103799AD78BF&compId=DMN2230UQ.pdf?ci_sign=3e06f057d16521d57eebbb63003e460e2d9558d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 261 Stücke:
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 723249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.72 EUR
34+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2230UQ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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Anzahl Preis
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10+0.51 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMN2230UQ-7 Hersteller : DIODES/ZETEX DMN2230UQ.pdf N-MOSFET 20V 2A 110mΩ 600mW DMN2230UQ-7 Diodes TDMN2230uq
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : Diodes Inc 102dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2230UQ-7 DMN2230UQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2230uq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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