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DMN2300U-7

DMN2300U-7 Diodes Zetex

dmn2300u.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN2300U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2300u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2300u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513424-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1723 Stücke:
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513424-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMN2300U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
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Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2300u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2300u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : Diodes Inc dmn2300u.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300U-7 DMN2300U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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