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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex

dmn2300ufb4.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf MOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Inc dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2300UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 0.5W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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