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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Zetex dmn2300ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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20000+0.11 EUR
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf MOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
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10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
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1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2300UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
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274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
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274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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3000+0.089 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 1894 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 9687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1894+0.093 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.081 EUR
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 670000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
50000+0.095 EUR
70000+0.092 EUR
100000+0.089 EUR
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DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4.pdf
DMN2300UFB4-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
auf Bestellung 687817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7B DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2300UFB4-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2300UFB4-7B DIOD-S-A0008513633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2300UFB4-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
451+0.51 EUR
710+0.3 EUR
1205+0.18 EUR
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