DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated
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Technische Details DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin X2-DFN T/R |
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.96A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN2300UFB4-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.96A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
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