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DMN2310UFD-7

DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated

DMN2310UFD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN2310UFD-7 nach Preis ab 0.079 EUR bis 1.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2310UFD-7 DMN2310UFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012994315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
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Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN2310UFD-7 DMN2310UFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012994315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
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Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN2310UFD-7 DMN2310UFD-7 Diodes Incorporated DMN2310UFD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN1212-3 T&R 3K
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DMN2310UFD-7 Diodes Zetex DMN2310UFD.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Hersteller: DIODES INC.
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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