DMN2310UT-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 341+ | 0.74 EUR |
| 710+ | 0.32 EUR |
| 1177+ | 0.18 EUR |
| 1429+ | 0.15 EUR |
| 1819+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details DMN2310UT-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 490mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN2310UT-13 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMN2310UT-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 490mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-523 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2310UT-13 | Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2310UT-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.74 EUR |
| 710+ | 0.32 EUR |
| 1177+ | 0.18 EUR |
| 1429+ | 0.15 EUR |
| 1819+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| DMN2310UT-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.08 EUR |