Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN2310UT-13
DMN2310UT-13

DMN2310UT-13 Diodes Incorporated


DMN2310UT.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.10 EUR
20000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
50000+0.08 EUR
70000+0.08 EUR
100000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN2310UT-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 490mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMN2310UT-13 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN2310UT-13 DMN2310UT-13 Hersteller : DIODES INC. 3204149.pdf Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13 DMN2310UT-13 Hersteller : DIODES INC. 3204149.pdf Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13 Hersteller : Diodes Zetex DMN2310UT.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2310UT-3104199.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH