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DMN2310UW-7

DMN2310UW-7 Diodes Zetex


dmn2310uw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Technische Details DMN2310UW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2310UW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.05 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2310UW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 138572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
77+0.23 EUR
194+0.09 EUR
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 Hersteller : DIODES INC. 3177128.pdf Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 Hersteller : DIODES INC. 3177128.pdf Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN2310UW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2310U-3240514.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 8289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.36 EUR
11+0.27 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMN2310UW-7 Hersteller : Diodes Inc dmn2310uw.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT323 T&R 3K
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DMN2310UW-7 DMN2310UW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2310uw.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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DMN2310UW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2310UW.pdf DMN2310UW-7 SMD N channel transistors
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