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DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated

ds31963.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
auf Bestellung 693000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
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Technische Details DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31963.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
auf Bestellung 697445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31963.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
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10+0.30 EUR
100+0.12 EUR
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DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 Hersteller : DIODES INC. ds31963.pdf Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 Hersteller : DIODES INC. ds31963.pdf Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 Hersteller : Diodes Inc 39318571071320792ds31963.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN EP T/R
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DMN2400UFB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31963.pdf DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
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