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Technische Details DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm.
Weitere Produktangebote DMN24H11DS-7 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN24H11DS-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN24H11DS-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| DMN24H11DS-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 240V
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Dauer-Drainstrom Id: 270mA
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 2.36 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| DMN24H11DS-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Description: DIODES INC. - DMN24H11DS-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 270 mA, 3.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 107+ | 2.36 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 272+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
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| DMN24H11DS-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)