DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 0.51 EUR |
| 52+ | 0.34 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN2501UFB4-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMN2501UFB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K |
auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2501UFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.17 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2501UFB4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.7W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN2501UFB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 16 V |
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| DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.7W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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