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Technische Details DMN2600UFB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN2600UFB-7 nach Preis ab 0.059 EUR bis 0.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006-3 T&R 3K |
auf Bestellung 114534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 540mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN2600UFB-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
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| DMN2600UFB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.54W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| DMN2600UFB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.54W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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