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DMN2710UDW-7

DMN2710UDW-7 Diodes Incorporated

DMN2710UDW.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 3K
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Technische Details DMN2710UDW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 490mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 490mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN2710UDW-7 DMN2710UDW-7 DIODES INC. DMN2710UDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 273 Stücke:
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DMN2710UDW-7 DMN2710UDW-7 DIODES INC. DMN2710UDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN2710UDW-7
Hersteller: DIODES INC.
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.15 ohm
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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