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DMN2710UFBQ-7

DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

DMN2710UFBQ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
31+0.58 EUR
50+0.36 EUR
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Technische Details DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMN2710UFBQ-7 nach Preis ab 0.097 EUR bis 0.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMN2710UFBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UFBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
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DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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