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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated


DMN2990UFA.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
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Technische Details DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN2990UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V
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DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN2990UFA.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
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DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS20099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS20099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2990UFA-7B DMN2990UFA-7B Hersteller : Diodes Inc 1319dmn2990ufa.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.51A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN2990UFA-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN2990UFA.pdf DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
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