DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
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Technische Details DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.44A, On-state resistance: 2.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.53W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.35nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 1.5A, Mounting: SMD, Case: X2-DFN0606-3, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN2991UFZ-7B nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN2991UFZ-7B | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-3 T&R 10K |
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DMN2991UFZ-7B | Hersteller : Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN |
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DMN2991UFZ-7B | Hersteller : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.55A 3-Pin X2DFN |
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DMN2991UFZ-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X2-DFN0606-3 Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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DMN2991UFZ-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 440mA; Idm: 1.5A; 530mW Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: X2-DFN0606-3 |
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