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DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated

DMN3008SFG.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
auf Bestellung 270000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V.

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DMN3008SFG-13 DMN3008SFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3008SFG.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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