Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN3009LFV-7
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated


DMN3009LFV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.28 EUR
4000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote DMN3009LFV-7 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383573_1-2542431.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 4115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3009LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
auf Bestellung 28868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.93 EUR
29+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFV-7 Hersteller : Diodes Inc 108dmn3009lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3009LFV-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH