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DMN3009LFVQ-13 DIODES INC.

Name: DMN3009LFVQ-13
Brand: DIODES INC.
SKU: 16819204-6
Price: 216.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm

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Technische Details DMN3009LFVQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Weitere Produktangebote DMN3009LFVQ-13

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
DMN3009LFVQ-13	Diodes Incorporated	Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMN3009LFVQ-13	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMN3009LFVQ-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 2W Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN3009LFVQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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DMN3009LFVQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

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DMN3009LFVQ-13

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Application: automotive industry

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