DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.59 EUR |
| 4000+ | 0.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN3009LFVWQ-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3009LFVWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DMN3009LFVWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| DMN3009LFVWQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 25V30V PowerDI3333-8 T&R 2K |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| DMN3009LFVWQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN3009LFVWQ-7 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| DMN3009LFVWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K |
Produkt ist nicht verfügbar |