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DMN3009LFVWQ-7

DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated


DMN3009LFVWQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN3009LFVWQ-7 DMN3009LFVWQ-7 Hersteller : DIODES INC. 2918005.pdf Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN3009LFVWQ-7 DMN3009LFVWQ-7 Hersteller : DIODES INC. 2918005.pdf Description: DIODES INC. - DMN3009LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN3009LFVWQ-7 Hersteller : Diodes Inc dmn3009lfvwq.pdf MOSFET BVDSS: 25V30V PowerDI3333-8 T&R 2K
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