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DMN3009SSS-13 Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN3009SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Weitere Produktangebote DMN3009SSS-13 nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3009SSS-13 DMN3009SSS-13 Diodes Incorporated DMN3009SSS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMN3009SSS-13 DMN3009SSS-13 DIODES INC. DMN3009SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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DMN3009SSS-13 DMN3009SSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 59 Stücke:
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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DMN3009SSS-13 DIOD-S-A0009691898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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