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DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated

DMN3015LSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
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Technische Details DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated DMN3015LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
auf Bestellung 1602 Stücke:
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DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 DIODES INC. DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.78 EUR
200+1.17 EUR
300+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 DIODES INC. DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.78 EUR
200+1.17 EUR
300+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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DMN3015LSD-13 Diodes Zetex DMN3015LSD.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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401+0.42 EUR
407+0.39 EUR
496+0.31 EUR
499+0.3 EUR
510+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
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DMN3015LSD-13
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Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
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DMN3015LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN3015LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R
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401+0.42 EUR
407+0.39 EUR
496+0.31 EUR
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