DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN3016LFDE-7 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN3016LFDE-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3016LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3016LFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.1nC |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3016LFDE-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 198+ | 1.26 EUR |
| 319+ | 0.73 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 676+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| DMN3016LFDE-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.008 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 198+ | 1.26 EUR |
| 319+ | 0.73 EUR |
| 642+ | 0.33 EUR |
| 676+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| DMN3016LFDE-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.55 EUR |
| 22+ | 0.95 EUR |
| 27+ | 0.8 EUR |
| 50+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| DMN3016LFDE-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 57+ | 1.5 EUR |