Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN3016LFDE-7
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated

DMN3016LFDE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
auf Bestellung 14605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.83 EUR
10+0.65 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 4 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Weitere Produktangebote DMN3016LFDE-7 nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.95 EUR
27+0.8 EUR
50+0.7 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009865531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
150+1.56 EUR
214+1 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009865531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.77 EUR
150+1.56 EUR
214+1 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
DMN3016LFDE-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
auf Bestellung 1917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.55 EUR
22+0.95 EUR
27+0.8 EUR
50+0.7 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DIOD-S-A0009865531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3016LFDE-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
150+1.56 EUR
214+1 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DIOD-S-A0009865531-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3016LFDE-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
150+1.56 EUR
214+1 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH