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DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated

DMN3024LK3.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
auf Bestellung 4721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN3024LK3-13 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated DMN3024LK3.pdf MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.05 EUR
10+0.9 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.78A; Idm: 46.5A; 2.17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.78A
Pulsed drain current: 46.5A
Power dissipation: 2.17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.9nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+1.14 EUR
131+0.65 EUR
193+0.44 EUR
200+0.43 EUR
500+0.35 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated DMN3024LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.94 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 DIODES INC. DIODS10264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
212+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 DIODES INC. DIODS10264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
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DMN3024LK3-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.78A; Idm: 46.5A; 2.17W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.78A
Pulsed drain current: 46.5A
Power dissipation: 2.17W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.9nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
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193+0.44 EUR
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500+0.35 EUR
650+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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DMN3024LK3-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
auf Bestellung 4850 Stücke:
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500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMN3024LK3-13 DIODS10264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3024LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 4.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 226 Stücke:
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155+1.62 EUR
212+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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DMN3024LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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